SAMSUNG MZ-V9P1T0 SSD 1000GB M.2 7450MB/s PCI Express 4.0 NVMe

Samsung MZ-V9P1T0. SDD, capacidad: 1000 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 7450 MB/s, Velocidad de escritura: 6900 MB/s, Componente para: PC

Especificaciones

Características Factor de forma de disco SSD M.2 SDD, capacidad 1000 GB Interfaz PCI Express 4.0 NVMe Si Tipo de memoria V-NAND MLC Versión NVMe 2.0 Componente para PC Encriptación de hardware Si Soporte TRIM Si Soporte S.M.A.R.T. Si Algoritmos de seguridad soportados 256-bit AES Función DevSleep Si Lectura aleatoria (4KB) 1200000 IOPS Características Velocidad de escritura 6900 MB/s Escritura aleatoria (4KB) 1550000 IOPS Velocidad de lectura 7450 MB/s Tamaño de la unidad SSD M.2 2280 (22 x 80 mm) Tiempo medio entre fallos 1500000 h Peso y dimensiones Ancho 80 mm Profundidad 8,2 mm Altura 24,3 mm Peso 28 g Control de energía Consumo de energía (promedio) 5,4 W Consumo de energía (max) 7,8 W Voltaje de operación 3,3 V Condiciones ambientales Intervalo de temperatura operativa 0 - 70 °C Golpes en funcionamiento 1500 G